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GT50J121(Q)-ND

型號 :
GT50J121(Q)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
簡介 :
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
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數(shù)量 : 加入詢價
25°C 時 Td(開/關)值 90ns/300ns
IGBT 類型
-
不同?Vge,Ic 時的?Vce(on) 2.45V @ 15V,50A
供應商器件封裝 TO-3P(LH)
功率 - 最大值 240W
反向恢復時間(trr)
-
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-3PL
開關能量 1.3mJ(開), 1.34mJ(關)
柵極電荷
-
測試條件 300V,50A,13 歐姆,15V
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 50A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 100A
輸入類型 標準
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