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RGT30NS65DGTLCT-ND

型號 :
RGT30NS65DGTL
制造商 :
Rohm Semiconductor
簡介 :
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
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數(shù)量 : 加入詢價
25°C 時 Td(開/關(guān))值 18ns/64ns
IGBT 類型 溝槽型場截止
不同?Vge,Ic 時的?Vce(on) 2.1V @ 15V,15A
供應商器件封裝 LPDS(TO-263S)
功率 - 最大值 133W
反向恢復時間(trr) 55ns
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
開關(guān)能量
-
柵極電荷 32nC
測試條件 400V,15A,10 歐姆,15V
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 30A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 45A
輸入類型 標準
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