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RGT8NS65DGTLDKR-ND

型號 :
RGT8NS65DGTL
制造商 :
Rohm Semiconductor
簡介 :
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
PDF :
PDF
庫存 :
批量庫存
單價 :
注冊會員查看
數(shù)量 : 加入詢價
25°C 時 Td(開/關(guān))值 17ns/69ns
IGBT 類型 溝槽型場截止
不同?Vge,Ic 時的?Vce(on) 2.1V @ 15V,4A
供應(yīng)商器件封裝 LPDS(TO-263S)
功率 - 最大值 65W
反向恢復(fù)時間(trr) 40ns
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
開關(guān)能量
-
柵極電荷 13.5nC
測試條件 400V,4A,50歐姆,15V
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 8A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 12A
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
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