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NGTB10N60R2DT4GOSCT-ND

型號 :
NGTB10N60R2DT4G
制造商 :
ON Semiconductor
簡介 :
IGBT 10A 600V DPAK
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
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數(shù)量 : 加入詢價
25°C 時 Td(開/關(guān))值 48ns/120ns
IGBT 類型
-
不同?Vge,Ic 時的?Vce(on) 2.1V @ 15V,10A
供應(yīng)商器件封裝 DPAK
功率 - 最大值 72W
反向恢復時間(trr) 90ns
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
開關(guān)能量 412μJ(開),140μJ(關(guān))
柵極電荷 53nC
測試條件 300V,10A,30 歐姆,15V
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 40A
輸入類型 標準
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