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HGTD1N120BNS9ADKR-ND

型號 :
HGTD1N120BNS9A
制造商 :
Fairchild Semiconductor
簡介 :
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
PDF :
PDF
庫存 :
批量庫存
單價 :
注冊會員查看
數(shù)量 : 加入詢價
25°C 時 Td(開/關(guān))值 15ns/67ns
IGBT 類型 NPT
不同?Vge,Ic 時的?Vce(on) 2.9V @ 15V,1A
供應(yīng)商器件封裝 TO-252AA
功率 - 最大值 60W
反向恢復(fù)時間(trr)
-
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
開關(guān)能量 70μJ(開),90μJ(關(guān))
柵極電荷 14nC
測試條件 960V,1A,82 歐姆,15V
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 5.3A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 6A
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
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