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917-EPC2105ENG-ND

型號 :
EPC2105ENG
制造商 :
EPC
簡介 :
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
注冊會員查看
數(shù)量 : 加入詢價
FET 功能 GaNFET(氮化鎵)
FET 類型 2 個 N 通道(半橋)
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 2.5mA
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 300pF @ 40V
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg) 2.5nC @ 5V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值) 14.5 毫歐 @ 20A,5V
供應(yīng)商器件封裝 模具
功率 - 最大值
-
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 模具
工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 9.5A,38A
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