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APTC60AM45BC1G-ND

型號(hào) :
APTC60AM45BC1G
制造商 :
Microsemi Corporation
簡(jiǎn)介 :
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
PDF :
PDF
庫(kù)存 :
批量庫(kù)存
單價(jià) :
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FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
FET 類(lèi)型 3?N 溝道(相角 + 升壓斬波電路)
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 7200pF @ 25V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg) 150nC @ 10V
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) 45 毫歐 @ 24.5A,10V
供應(yīng)商器件封裝 SP1
功率 - 最大值 250W
安裝類(lèi)型 底座安裝
封裝/外殼 SP1
工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 49A
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