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917-EPC2108ENGRCT-ND

型號 :
EPC2108ENGRT
制造商 :
EPC
簡介 :
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
PDF :
PDF
庫存 :
批量庫存
單價(jià) :
注冊會員查看
數(shù)量 : 加入詢價(jià)
FET 功能 GaNFET(氮化鎵)
FET 類型 3 N 溝道(半橋 + 同步自舉)
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 200μA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 22pF @ 30V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg) 0.22nC @ 5V
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) 190 毫歐 @ 2.5A,5V
供應(yīng)商器件封裝 模具
功率 - 最大值
-
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 模具
工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 60V,100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 1.7A,500mA
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