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SSM6L09FUTE85LFCT-ND

型號 :
SSM6L09FUTE85LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
簡介 :
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
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數(shù)量 : 加入詢價
FET 功能 邏輯電平門
FET 類型 N 和 P 溝道
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 100μA
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 20pF @ 5V
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
-
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值) 700毫歐 @ 200MA,10V
供應商器件封裝 US6
功率 - 最大值 300mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
工作溫度 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 400mA,200mA
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