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NTJD1155LT1GOSDKR-ND

型號(hào) :
NTJD1155LT1G
制造商 :
ON Semiconductor
簡(jiǎn)介 :
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
PDF :
PDF
庫(kù)存 :
批量庫(kù)存
單價(jià) :
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FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
FET 類(lèi)型 N 和 P 溝道
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
-
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) 175 毫歐 @ 1.2A,4.5V
供應(yīng)商器件封裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大值 400mW
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 1.3A
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