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SSM6N35FELMDKR-ND

型號 :
SSM6N35FE,LM
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
簡介 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
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數(shù)量 : 加入詢價
FET 功能 邏輯電平門
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 9.5pF @ 3V
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
-
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值) 3 歐姆 @ 50mA,4V
供應商器件封裝 ES6(1.6x1.6)
功率 - 最大值 150mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563,SOT-666
工作溫度 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 180mA
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