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568-10941-2-ND

型號(hào) :
PMDXB600UNE
制造商 :
NXP Semiconductors
簡(jiǎn)介 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
PDF :
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庫(kù)存 :
批量庫(kù)存
單價(jià) :
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數(shù)量 : 加入詢價(jià)
FET 功能 邏輯電平門
FET 類型 2 個(gè) N 溝道(雙)
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 21.3pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg) 0.7nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) 620 毫歐 @ 600mA,4.5V
供應(yīng)商器件封裝 6-DFN(1.1x1)
功率 - 最大值 265mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-XFDFN 裸露焊盤
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 600mA
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