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SI1922EDH-T1-GE3CT-ND

型號 :
SI1922EDH-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
簡介 :
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
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數(shù)量 : 加入詢價
FET 功能 邏輯電平門
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
-
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg) 2.5nC @ 8V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值) 198 毫歐 @ 1A,4.5V
供應(yīng)商器件封裝 SC-70-6(SOT-363)
功率 - 最大值 1.25W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 1.3A
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