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| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） |
|---|---|
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 5mA |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） | 660pF @ 600V |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） | 30nC @ 15V |
| 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 78 毫歐 @ 20A，15V |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK（7-Lead） |
| 功率 - 最大值 | 113W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 900V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 35A（Tc） |
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