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| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） |
|---|---|
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 3.1V @ 500μA（標(biāo)準(zhǔn)） |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） | 200pF @ 1000V |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） | 13nC @ 20V |
| 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值） | 1.4 歐姆 @ 2A，20V |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK（7-Lead） |
| 功率 - 最大值 | 78W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-7（直引線） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 1700V（1.7kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 5.3A（Tc） |
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