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1242-1317-ND

型號 :
GA100JT12-227
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
簡介 :
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
PDF :
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庫存 :
批量庫存
單價 :
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數(shù)量 : 加入詢價
FET 功能 碳化硅 (SiC)
FET 類型 Junction Transistor, Normally Off
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 14400pF @ 800V
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
-
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值) 10 毫歐 @ 100A
供應商器件封裝 SOT-227
功率 - 最大值 535W
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 SOT-227-4,miniBLOC
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 160A
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