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1242-1189-ND

型號(hào) :
GA20JT12-263
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
簡(jiǎn)介 :
TRANS SJT 1200V 45A
PDF :
PDF
庫(kù)存 :
批量庫(kù)存
單價(jià) :
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數(shù)量 : 加入詢價(jià)
FET 功能 碳化硅 (SiC)
FET 類型 Junction Transistor, Normally Off
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 3091pF @ 800V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
-
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) 60 毫歐 @ 20A
供應(yīng)商器件封裝
-
功率 - 最大值 282W
安裝類型
-
封裝/外殼
-
工作溫度 175°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 45A(Tc)
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