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IXTH6N100D2-ND

型號 :
IXTH6N100D2
制造商 :
IXYS
簡介 :
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
PDF :
PDF
庫存 :
批量庫存
單價 :
注冊會員查看
數(shù)量 : 加入詢價
FET 功能 耗盡模式
FET 類型 MOSFET N 通道,金屬氧化物
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2650pF @ 25V
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg) 95nC @ 5V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值) 2.2 歐姆 @ 3A,0V
供應(yīng)商器件封裝 TO-247(IXTH)
功率 - 最大值 300W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源極電壓(Vdss) 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 6A(Tc)
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